荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾與台積電宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，台積電預計2030年起先進製程導入High NA EUV技術。
台積電與艾斯摩爾昨日宣布一項重大合作，推動極紫外光（EUV）微影光罩由現行6吋規格升級至12吋，目標在2031年前建立12吋光罩試產線，消息激勵下，光罩龍頭家登今（9）日開盤直衝漲停，漲停價573元，開盤半小時就有近6000張排隊等買，成為今日焦點。
IBM 以一項新技術，為半導體微縮提供新路徑。2026 年 6 月 25 日，，該技術採用具革新性的電晶體架構，對應 0.7 奈米、也就是 7 埃節點。尺寸已逼近原子尺度，為半導體先進製程探索埃米級縮放提供新路徑。
全球最精密的晶片製造利器——荷蘭艾司摩爾（ASML）的High NA極紫外光（EUV）光刻機震撼登場！首批五台已出貨，正式投入尖端晶片生產，然而，名單中卻獨缺全球晶片需求巨頭中國大陸。背後原因？美國對中的晶片禁令，悄然改變科技版圖。
上週台積電技術開發資深副總經理張曉強表示，台積電對導入高數值孔徑極紫外光曝光機持保留態度，原因就是價格太高昂。目前台積電旗下只擁有一台這種最先進的晶片製造設備。三星號稱使用這台光刻機，能夠讓整個生產週期縮短60%，但要價四億美元，目前全球也只有五台。美國財經媒體CNBC也獨家揭開這台儀器的面紗，究竟什麼樣的設備讓台積電也望之卻步。
近20年來能與石油並駕齊驅的重要戰略物資，就屬半導體，插足供應鏈的各國無不想盡辦法合縱連橫，保有優勢。日本與美國祭出高額補貼，促進境內半導體生產，美國甚至要將環評放一邊，儘快在紐約州打造先進半導體廠；路透社報導，一家低調的中美合資公司，疑似是突破拜登禁令，取得美國技術為解放軍設計晶片的破口之一。南韓則由總統尹錫悅遠赴荷蘭，發展兩國半導體技術合作，應對來自俄羅斯與北韓結盟的共同威脅。
