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IBM發表0.7奈米3D堆疊晶片 最快五年內開始量產

記者 Elaine Lin / 責任編輯 新聞中心 報導
發佈時間:2026/06/26 16:54
最後更新時間:2026/06/26 16:54
IBM推出0.7奈米技術 最快5年內量產 (圖/翻攝自IBM官網)
IBM推出0.7奈米技術 最快5年內量產 (圖/翻攝自IBM官網)

IBM 以一項新技術,為半導體微縮提供新路徑。2026 年 6 月 25 日,IBM 正式宣布推出全球首個次奈米 (Sub-1nm) 晶片技術,該技術採用具革新性的電晶體架構,對應 0.7 奈米、也就是 7 埃節點。尺寸已逼近原子尺度,為半導體先進製程探索埃米級縮放提供新路徑。

值得注意的產業背景是,就在發表前一週,Intel 宣布 18A-P 製程進入風險生產階段,這兩項公告先後出現,也再次引發外界對先進製程競賽的關注。

 
 

一片指甲,塞進一千億個電晶體

這顆晶片的密度令人印象深刻。在等同人類指甲大小的面積內,IBM 成功整合近 1 千億個電晶體,密度幾乎是 2021 年推出之 2 奈米晶片的兩倍。效能層面,相較 IBM 2 奈米節點晶片,最高可提升 50% 性能,或提高 70% 能源效率。

IBM 研究院院長暨 IBM 院士 Jay Gambetta 說,這次突破「將技術從奈米時代推向原子尺度,屬於電腦技術的里程碑時刻」,IBM 正在做的不只是縮小電晶體尺寸,而是重新定義晶片的製造方式本身。
 

奈米堆疊:讓電晶體「往上長」的 3D 革命

支撐這項技術的核心,是 IBM 自主研發的全新奈米堆疊(Nanostack)電晶體架構。這是業界已知首個3D、以奈米片為基礎的電晶體設計。在現行產業主流的奈米片(Nanosheet)技術基礎上,走出了截然不同的方向。傳統平面架構受限於二維空間,電晶體只能橫向排列;奈米堆疊轉而垂直堆疊、交錯排列電晶體,搭配 3D 順序整合技術,在相同面積內封裝更高密度的電晶體。

 

在 2026 年 VLSI 大會上,IBM 研究人員進一步展示奈米堆疊架構,有望帶來約 40% 的 SRAM 面積縮放,有助支援先進 AI 工作負載的高頻寬資料需求。

有一點值得讀者留意:「0.7 奈米」並非任何元件的實際物理尺寸,而是一個製程世代的代號,業界節點命名早已脫離字面尺寸意義。 

這項研究在美國紐約州阿爾巴尼的半導體研究機構完成,IBM 於此地與 ASML、科林研發(Lam Research)、東京威力科創(TEL)與 SCREEN Semiconductor Solutions 等設備夥伴深度協作,共同開發 High NA EUV 相關製程與工具技術。

 
商業化路徑上,IBM 聚焦研發與技術路線,根據路透社報導,過去的技術授權對象包括三星與日本 Rapidus;至於奈米堆疊架構的製造合作夥伴,IBM 目前尚未公佈,但 IBM 認為最早可望在未來 5 年走向生產導入。

另一條同步推進的戰線,是 IBM 旗下獨立量子晶片代工廠 Anderon 的成立計畫,定位為全球首座專注量子晶片的晶圓代工廠。0.7 奈米晶片的問世讓這條路線圖再次往前延伸,而埃米時代的競賽,才正要開始。

 


#IBM#半導體#微縮#晶片技術#奈米#電晶體#製程#密度#性能#能源效率

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