外媒指出，中國已開始量產自主研發的浸潤式深紫外光（DUV）曝光機，衝擊ASML ADR股價，美股半導體股慘摔一片。不過雲報政經產業分析師柴煥欣指出，ASML正大幅降低對中國市場的依賴，即便中國自研的DUV光刻機發展成熟，未來對ASML的殺傷力相對可控。
什麼是DUV？什麼是EUV？
DUV 與 EUV 指的是半導體製造（晶圓代工）中最核心的兩種光刻技術（Lithography），差別在於使用的「光源波長」。DUV 波長較長、使用透鏡折射且廣泛應用於成熟與次奈米製程；EUV 波長極短、必須在真空中使用特殊反射鏡，專責 7 奈米以下的超先進製程。
- DUV（Deep Ultraviolet，深紫外光刻技術）：是半導體晶片製造中「微影製程（曝光）」所使用的關鍵光學技術與設備，波長大約在 248 奈米到 193 奈米之間。它是目前全球晶片量產的主力技術，能協助生產成熟製程與部分先進製程的晶片。荷蘭的ASML是全球主要DUV曝光機供應商。
- EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻技術）：主要指極紫外光微影技術，使用 13.5 奈米的極短波長光源，能在大約指尖大小的晶片上刻出極為微小的電路結構，是目前製造 7 奈米以下先進半導體晶片不可或缺的核心技術。ASML也是全球唯一量產並供應 EUV 曝光機的廠商。
中國濕式蝕刻技術關鍵突破 跨入先進製程起點
柴煥欣指出，過去中國大陸半導體設備廠（如北方華創、上海微電子等）雖然長期投入光刻機開發，但大多停留在「乾式蝕刻」領域，技術極限僅能延伸至65奈米或50奈米製程。然而，本次由華為重點扶植的設備大廠，成功發展出「濕式浸潤式（Immersion）」光刻技術，成為中國晶圓代工歷史性的關鍵突破。
專家指出，濕式浸潤技術能將微縮極限從40奈米一路延展至7奈米，甚至進一步向上挑戰5奈米製程，這正是跨入「先進製程」的起點。此前中芯國際雖已實現7奈米甚至5奈米量產，但設備端技術的本土化升級，讓中國晶圓代工產業在先進製程的發展腳步上更加穩健，大幅減少受制於美國封鎖與出口禁令的風險。
華為雙雄佈局曝光 預測未來5-6年追上ASML
柴煥欣指出，華為近年在半導體供應鏈佈局極深，扶植了兩大半導體設備指標大廠，一家為位於深圳的「新凱來」，專攻極紫外光（EUV）技術研發；另一家則是「宇量昇」，負責主導DUV技術突破的設備製造廠，且獲中國政府支持。
業內推測，目前該款中國國產DUV機台屬於初代版本，按照規劃，今年將生產5台DUV設備，明年把產量提高至20台，潛在客戶包括中芯國際 、長鑫存儲及華虹半導體 。然而在華為投入龐大人力、資金與物力資源整合下，預計未來5至6年內，中國DUV技術與升級速度將大幅縮短，逐步追趕上ASML的既有水準。
市場恐慌性重塑 台積電高壁壘難撼動
從目前ASML中國市場營收佔比來觀察，已從2024年的41%、2025年的33%，降至今年第二季的14%，顯示ASML早已主動進行市場去風險化。柴煥欣認為，就算中國未來全面實現DUV自給自足，對ASML的整體營收影響預期將控制在10個百分點以內，殺傷力在可控範圍。
然而近期美股、台股半導體供應鏈出現劇烈震盪，柴煥欣認為純屬「市場過度反應」，目前全球高階半導體市場由台積電絕對主導，台積電不僅已跨入2奈米製程量產階段，更積極與ASML合作導入下一代高孔徑（High-NA）EUV機台，目標已直指2030年後的1奈米與埃米時代。
