SEMICON／記憶體直接往上疊！三星秀3D技術「效能最高提升8倍」
- 記者：蘇憶歡
- 發佈時間：2026.09.01 17:45
- 最後更新時間：2026.09.01 17:45
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三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi今（1）日於記憶體高峰論壇，提到三星正在用3D堆疊重寫AI晶片架構。（圖／Shutterstock達志影像）
AI運算需求持續增加，三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi今（1）日出席「記憶體高峰論壇」暢談三星最新「CUBE」策略。透過垂直堆疊突破容量、頻寬、功耗瓶頸，其中，新一代zHBM更直接將記憶體堆疊在處理器上，目標相較HBM4E將效能最高提升8倍，未來在3D整合技術上也將更進一步。
記憶體直接往上疊 zHBM效能大躍進
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi指出，傳統HBM採用2.5D架構，處理器與記憶體並排配置，但三星的zHBM則走向3D，直接將記憶體堆疊在處理器上方，藉此大幅縮短資料傳輸距離。
目前三星設定的目標希望zHBM相較HBM4E，效能最高可提升8倍、每瓦效能提升3倍，熱阻更可降低75%至90%。而這就是想瞄準解決AI晶片愈來愈嚴重的頻寬、散熱問題。
HBM持續升級 HBM5目標效能再翻倍
除了布局全新的zHBM，三星也持續推進HBM產品，今年5月已開始出貨12層HBM4E樣品，下一代HBM5也已經著手開發。目前三星規劃，HBM5相較HBM4E，目標效能提升2倍、每瓦效能提高20%、熱阻再降低20%。
裝置端AI也有新武器 預計2028年推「zNAND-O」
另外，三星也鎖定裝置端AI市場，推出3D儲存方案zNAND-O，透過TSV等技術將多個NAND晶片垂直堆疊，與NPU整合在同一封裝內。zNAND-O的位元密度可達DRAM的10倍，讀取頻寬則是傳統NAND Flash的7倍，預計2028年推出樣品，未來將搶攻手機、PC、各類AI裝置對高速、大容量儲存的需求。
Jangseok Choi認為，隨著AI逐漸走向能自主推理與執行任務的Agentic AI，傳統2D架構將愈來愈難滿足需求，半導體產業必須重新思考3D整合。最後他也強調，未來3D-IC的競爭不只比堆疊技術，更要解決散熱與結構穩定問題，而三星將結合記憶體、邏輯晶片、晶圓代工、先進封裝能力，並持續與台灣半導體生態系合作，搶攻下一代AI晶片市場。
