SEMICON／輝達新晶片耗電飆6000瓦 專家端「全GaN」解方效率破98%
- 記者：謝佩穎
- 發佈時間：2026.09.01 12:07
- 最後更新時間：2026.09.01 12:07
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- 發佈時間：2026.09.01 12:07
- 最後更新時間：2026.09.01 12:07
宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長Dr. Alex Lidow。（圖／謝佩穎攝）
AI 算力大爆發，伺服器供電卻快被「榨乾」！宜普電源轉換公司（EPC）執行長 Alex Lidow今（1）日在SEMICON論壇上指出，輝達（NVIDIA）新一代晶片功耗越來越驚人，未來的 Feynman 世代單晶片功耗更將飆上6,000瓦、電流衝破10,000 安培。為了解決傳統伺服器塞不下、散熱差的痛點，導入「氮化鎵（GaN）」的新架構，將是推動下一代AI算力的關鍵。
單顆晶片衝萬安培！AI 面臨「電源牆」挑戰
Alex Lidow 指出，從上一代Blackwell到即將登場的Vera Rubin晶片，在0.6伏特電壓下，功耗達到3,600瓦、電流達6,000安培；而再過幾年的Feynman世代，更將衝上6,000瓦、10,000安培的極限。
面對龐大的電流，傳統資料中心從機架降壓到晶片的做法已不堪負荷。Alex Lidow 直言，如何把資料中心的800V高壓電一路送到GPU晶片，是目前電源工程界最大的難題。
EPC靠「兩步驟」搞定800V供電
採用 ISOP（輸入串聯、輸出並聯）：透過第七代低壓GaN元件串並聯，轉換效率高達97%至98%，大幅縮小變壓器與電容體積。
此外，再採用最新發表的單晶片整合功率級（Monolithic Power Stage）GaN 晶片，在GPU核心旁以5MHz高頻轉換，峰值效率突破91%。
EPC也預計在2027年中推出10MHz的第二代四相單晶片元件，直接省略複雜的過渡架構，實現全GaN高效供電。
「分離式元件將退場」 GaN 全面走向單晶片高整合
Alex Lidow 明確表示，「分離式（Discrete）GaN 的時代即將結束！」，他強調，GaN 開關速度極快，必須走向單晶片高度整合（Monolithic Integration）才能發揮最大效能。從第八代產品開始，EPC將全面推進整合型IC，未來伺服器電源從800V 到晶片核心「全面 GaN 化」已成定局。
