記憶體大廠美光科技（Micron）今（27）日宣布，於新加坡正式為其先進晶圓製造廠舉行動土儀式，宣布將在未來十年內投資約240億美元（約新台幣7,600億元），打造新加坡首座雙層設計的晶圓製造廠，最快於2028年下半年投入晶圓生產，以應對AI、大數據及資料中心等應用對高階儲存技術的爆炸性成長需求。
美光表示，此次動工儀式規格極高，新加坡多位政要皆親自出席，突顯星國在全球半導體供應鏈中的戰略地位。美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia強調，美光的先進技術是推動全球經濟AI轉型的關鍵，而這項龐大的投資計畫不僅鞏固了新加坡作為美光全球製造網絡核心樞紐的角色，更透過將研發與生產線高度整合，有效提升產品從實驗室到市場的開發效率，全面增強供應鏈韌性。
NAND、DRAM 兩大戰線並進
在產能佈局方面，美光同步推進先前宣布的「高頻寬記憶體（HBM）」先進封裝設施，預計於2027年即可貢獻產能，屆時新加坡廠區將同時具備NAND與DRAM的生產。美光表示，將根據實際市場需求調整新廠的產能擴張速度，確保在競爭激烈的半導體市場中保持領先。這項擴張計畫對於新加坡就業市場也將帶來巨大貢獻，預計將為當地創造約1,600個高階職位，若加計HBM封裝廠帶來的職缺，總計將為美光在新加坡增加約3,000名員工。招聘重點將聚焦於晶圓廠工程、AI整合運算及智慧製造等領域，美光也承諾將與學界深入合作，透過實習計畫與技能培訓，打造未來的半導體人才庫。
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