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力拚2奈米超車! 三星放話:5年內先進製程領先台積電

編輯 陳妍如 報導
發佈時間:2023/05/05 11:58
最後更新時間:2023/05/05 11:58
三星電子半導體部門喊話要在5年內憑2奈米製程超車台積電。(圖/達志影像美聯社)
三星電子半導體部門喊話要在5年內憑2奈米製程超車台積電。(圖/達志影像美聯社)

南韓三星電子(Samsung Electronics)半導體事業部門主管慶桂顯4日表示,雖然三星3奈米、4奈米的製程落後台積電,但在2奈米的製程競賽中,三星將可能再次領先台積電,還放話要在未來5年內超越台積電。
 
韓媒《朝鮮日報》報導,慶桂顯4日在會議演講中坦承,目前三星的晶圓代工技術,4奈米落後台積電2年、3奈米落後1年左右,但是從2奈米科技競賽,開始,三星將可能在未來5年內超前台積電,因為從2奈米製程開始,台積電也計畫採用環繞閘極電晶體(GAA)架構。

 

台積電目前的市占率仍穩贏三星,不過三星計畫在更高難度的2奈米製程灣道超車。(圖/達志影像美聯社)

慶桂顯指出,三星率先將GAA架構用於3奈米製程節點,進行了反覆摸索和試驗,而台積電卻要從更高難度的2奈米製程才開始,在此過程中,三星就有機會超車。慶桂顯還說,目前客戶們對三星3納米製程的反應很好,「幾乎所有大客戶都在跟我們合作,但我不能透露客戶名稱」。
 
三星也正積極布局發展其晶片封裝技術,三星電子去年年底設立先進封裝部門(AVP),目標是用先進封裝技術超越半導體極限;慶桂顯說,「隨著半導體製程細微化變得更加困難,效能最終將透過封裝改善」。

 
三星坦承,目前3、4奈米製程落後台積電1至2年。(圖/達志影像美聯社)

三星過去曾多次放話要超車,想方設法要縮短與台積電之間的差距,去年6月底搶先台積電宣布量產3奈米晶片,不過台積電始終老神在在,市占率更是碾壓三星。另一方面,近期韓媒也報導有消息人士稱三星4奈米良率已經改善,快要趕上台積電,可望吸引更多客戶回流。
 
直到3奈米製程為止,台積電和其他晶圓代工廠則採用鰭式場效電晶體(FinFET)技術,到2奈米製程據傳也將採GAA架構。三星聲稱自家3奈米GAA技術能比上一代製程節點提高效能30%、減少耗能50%、縮減晶片面積45%,目標是明年起以GAA架構量產2奈米晶片。



 

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