中國大陸晶圓代工廠中芯成功量產7奈米晶片，傳出美國擴大對中國半導體設備出口管制因應。產業專家認為，除了邏輯晶片，也會影響中國大陸的DRAM和3D NAND Flash，堪稱「一箭三鵰」，這將使中國半導體中長期發展面臨重重阻礙。
美國先前限縮中國大陸取得半導體先進製程設備，但即使缺少荷蘭艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）設備，中芯仍傳出在先進製程技術發展上獲重大突破，已量產出貨7奈米晶片1年多時間，震撼各界。
光刻機是半導體生產的重要設備，EUV光刻機是推進先進製程的關鍵；深紫外光（DUV）則用於成熟製程。
台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真研判，中芯極有可能利用深紫外光（DUV）設備，加上多層光罩，達到7奈米生產。
劉佩真說，中芯目前7奈米量產產能規模可能還小，良率比較不穩定，且成本非常高昂，7奈米性價比相對不高，並可能受到來自美方管制措施，影響客戶下單意願，實際效應有限。
國外媒體報導，美國擴大對中國半導體設備的管制，兩大半導體設備供應商科林研發（Lam Research）、科磊（KLA）透露，最近收到華府通知，未取得許可證的美企，禁止出售14奈米以下半導體設備給中芯等陸企，就連台積電在大陸的晶圓代工廠也可能被列入禁售。台積電對此並沒有評論。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，美國先前已禁止10奈米以下的先進半導體設備出口中國，這次進一步擴大管制範疇至14奈米以下製程，且包括台積電等外商在中國設立的半導體廠也都被納入管制。
楊瑞臨指出，微影、蝕刻及量測檢測是半導體最重要的3道製程，其中，微影的EUV設備市場由荷蘭艾司摩爾（ASML）獨占，科林研發為蝕刻設備龍頭，市占率逾5成，科磊為檢測設備龍頭，市占率也超過5成。
楊瑞臨說，觀察美國對中國採取的新管制措施，美國應經過深入研究，對中國半導體的管制相當到位，除了邏輯晶片外，對於中國的動態隨機存取記憶體（DRAM）和3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也都會有影響，是「一箭三鵰」的做法，中國半導體產業中長期發展恐面臨重重阻礙。
他表示，韓國記憶體廠三星（Samsung）和SK海力士（Hynix）都在中國大陸設廠，可能因而受到波及，未來中國廠擴產可能遭受影響。
至於台積電方面，楊瑞臨說，台積電南京廠未來擴產是否會受到影響有待觀察，不過，台積電生產重鎮在台灣，台灣廠在生產效率與成本等方面最具競爭力，預期台積電所受影響應有限。
國泰台灣5G+ ETF基金經理人蘇鼎宇也認為，對台積電影響有限，但會增加中芯發展的難度，半導體設備製造商也可能受到影響。至於美國正視中芯可能是複製台積電技術這件事，對台積電發展可以正向看待，短期在禁售趨嚴下成熟製程業務可能增加因應調整的成本，長線對於台積電高階製程競爭力則更有保障。（中央社）
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