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  • 30
  • Nov
  • 2018

半導體資本支出今年可望增15% 明年恐減12%

2018/11/30 11:10
示意圖/TVBS 半導體資本支出今年可望增15% 明年恐減12%
示意圖/TVBS
今年半導體業資本支出可望首度突破1000億美元大關,達1071億美元,將增加15%,研調機構IC Insights預期,明年半導體資本支出可能趨緩,將減少12%。

IC Insights預期,三星(Samsung)今年資本支出可能比去年的242億美元減少,不過,仍將維持在226億美元高檔水準,還是會居全球半導體業之冠。

三星近2年資本支出合計將高達468億美元規模,ICInsights表示,除三星大舉支出,SK海力士(Hynix)等競爭對手支出也相當積極,已造成3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能過剩。

IC Insights指出,海力士今年半導體資本支出可能增加58%,增加的支出將主要集中在韓國的3D NANDFlash廠與中國無錫的動態隨機存取記憶體(DRAM)廠。

IC Insights說,當前動態隨機存取記憶體(DRAM)市場疲軟,可能延續到明年上半年,三星、海力士與美光(Micron)3大DRAM供應商的資本支出,可能從2018年的454億美元,下滑到2019年的375億美元,減少17%。

IC Insights預期,明年整體半導體業資本支出可能較今年減少12%;其中,三星、英特爾(Intel)、海力士、台積電與美光5大廠明年資本支出將減少14%,其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小,將減少約7%。(中央社)

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更新時間:2018/11/30 11:10

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