力拚2奈米超車！　三星放話：5年內先進製程領先台積電

南韓三星電子（Samsung Electronics）半導體事業部門主管慶桂顯4日表示，雖然三星3奈米、4奈米的製程落後台積電，但在2奈米的製程競賽中，三星將可能再次領先台積電，還放話要在未來5年內超越台積電。
 
韓媒《朝鮮日報》報導，慶桂顯4日在會議演講中坦承，目前三星的晶圓代工技術，4奈米落後台積電2年、3奈米落後1年左右，但是從2奈米科技競賽，開始，三星將可能在未來5年內超前台積電，因為從2奈米製程開始，台積電也計畫採用環繞閘極電晶體（GAA）架構。

慶桂顯指出，三星率先將GAA架構用於3奈米製程節點，進行了反覆摸索和試驗，而台積電卻要從更高難度的2奈米製程才開始，在此過程中，三星就有機會超車。慶桂顯還說，目前客戶們對三星3納米製程的反應很好，「幾乎所有大客戶都在跟我們合作，但我不能透露客戶名稱」。
 
三星也正積極布局發展其晶片封裝技術，三星電子去年年底設立先進封裝部門（AVP），目標是用先進封裝技術超越半導體極限；慶桂顯說，「隨著半導體製程細微化變得更加困難，效能最終將透過封裝改善」。


三星過去曾多次放話要超車，想方設法要縮短與台積電之間的差距，去年6月底搶先台積電宣布量產3奈米晶片，不過台積電始終老神在在，市占率更是碾壓三星。另一方面，近期韓媒也報導有消息人士稱三星4奈米良率已經改善，快要趕上台積電，可望吸引更多客戶回流。
 
直到3奈米製程為止，台積電和其他晶圓代工廠則採用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，到2奈米製程據傳也將採GAA架構。三星聲稱自家3奈米GAA技術能比上一代製程節點提高效能30%、減少耗能50%、縮減晶片面積45%，目標是明年起以GAA架構量產2奈米晶片。



 

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