成本低台積電50％！傳英特爾先進封裝良率逼90％　剩1瓶頸

英特爾（Intel）正加快推動俄亥俄州新晶圓廠建設，傳出已祭出加班獎金，希望加速工程進度，目標是在2031年前啟動14A製程的大量生產。另一方面，英特爾新一代先進封裝EMIB-T也傳出進展，封裝良率已逼近90％，且成本約比台積電CoWoS便宜50％，目前僅剩基板良率仍待改善。

俄亥俄廠拚2031年量產14A

據《Wccftech》引述爆料客ImNotHarsh消息，英特爾正在俄亥俄州興建占地1000英畝的大型晶圓廠園區，將用於18A與14A等「埃米（Angstrom）時代」製程。為加快這項關鍵計畫進度，英特爾據傳已開始發放優渥的加班獎金，希望推動工期，並在2031年前實現14A製程的大量生產。

另一方面，英特爾的EMIB-T先進封裝技術也持續推進。EMIB是透過嵌入有機基板內的矽橋，將多個晶片整合於單一封裝中；EMIB-T則進一步在矽橋中加入穿矽通孔（TSV），讓電力與高速訊號可自封裝底部垂直傳輸至處理器或記憶體，支援3D堆疊。

EMIB-T封裝良率近90％

報導指出，英特爾的EMIB-T成本約比台積電CoWoS低50％，公司預計2027年開始大規模提供EMIB-T封裝服務。目前封裝良率已接近90％，但基板良率仍停留在約50％，成為量產的主要瓶頸。

根據報導，EMIB-T所使用的基板包含具精密凹槽的有機基板、覆蓋矽橋的絕緣堆疊層，以及內含穿矽通孔的矽橋。其中有機基板由揖斐電（Ibiden）、新光電氣工業（Shinko）、欣興電子（Unimicron）與奧特斯（AT&S）等廠商供應。欣興近期也重申，EMIB-T仍屬於早期平台，目前重點仍是提升產能與良率。

參考資料：《Wccftech》