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AI帶旺HBM需求 市場憂記憶體產業重演供過於求

記者 Yu Han Lei / 責任編輯 新聞中心 報導
發佈時間:2026/07/20 17:45
最後更新時間:2026/07/20 17:45
AI需求推升記憶體擴產,市場憂供過於求重演。(圖/達志影像路透社)
AI需求推升記憶體擴產,市場憂供過於求重演。(圖/達志影像路透社)

AI熱潮帶動高頻寬記憶體(HBM)需求快速攀升,也促使三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士及美光(Micron)等記憶體大廠積極擴產。然而,隨著投資規模不斷擴大,市場開始擔憂,記憶體產業恐再度陷入供過於求的景氣循環。

《金融時報》指出,三星、SK海力士及美光近期股價均自高點回落,反映投資人開始重新評估AI基礎設施投資能否持續,以及是否足以支撐龐大的新增產能。分析人士認為,若AI資料中心投資放緩,記憶體市場最快可能於2028年至2029年間再度面臨供給過剩風險。

 

目前全球三大DRAM供應商正展開近年最大規模擴產計畫。南韓政府日前更宣布三星與SK海力士將共同推動大規模投資,預計未來五年將使南韓DRAM產能倍增,以因應AI資料中心持續增加的需求。

不過,SK集團董事長崔泰源認為,目前市場仍處於供不應求階段。他表示,客戶對2027年AI記憶體的需求較今年高出60%至100%,而目前並無業者能在明年新增大量產能,使HBM供應持續吃緊。他也警告,若記憶體價格長期維持高檔,不僅可能吸引更多競爭者投入,也可能引發各國政府介入,將AI記憶體供應視為經濟安全議題。

 
分析師指出,與傳統DRAM不同,HBM製造難度更高、客製化程度也較高,加上主要客戶已簽署多年供貨合約,使供需波動較過去收斂。不過,若AI投資未如預期持續成長,加上新產能陸續開出,傳統DRAM市場仍可能重演過去供過於求、價格大幅波動的景氣循環。

此外,中國長鑫存儲(CXMT)持續擴充產能,也被視為未來市場的重要變數。市場預期,若中國業者加快擴產速度,全球DRAM市場競爭將進一步升溫。分析師認為,HBM因高度客製化且技術門檻較高,短期內較不易出現供過於求,但傳統DRAM仍存在景氣循環風險。
 


#AI熱潮#高頻寬記憶體#HBM#三星電子#SK海力士#美光#市場擔憂#供過於求#投資規模#AI基礎設施

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