聯電（2303）今（29）日召開第二季法說會，市場關注先進製程佈局與未來毛利率走勢。聯電指出，與英特爾目前12奈米專案正按照計畫穩健推進，隨著 PDK 在2026年底完成，客戶端已陸續導入設計，並預備在2027年進行產品流片，預計最快2028年可對營收帶來貢獻。
財務長劉啟東說明，2027年產品仍處於量產爬坡的早期試產階段，產能效益預計要到2028年才會較為明顯，長遠來看將對聯電現有的財務結構帶來正面效益。
法人好奇聯電2028年後是否挑戰7奈米？聯電強調，公司始終保持開放態度，目標是透過「低資產模式（Low-asset model）」進行技術遷移。一旦有互利共贏的合作方案與明確里程碑，才會進一步考慮與探索下一代技術。
產能利用率逼近9成 毛利率有望破40%
受惠AI需求的同步帶動，半導體產業復甦態勢顯著。聯電預估，第3季整體產能利用率將從第2季的85%一舉拉升至90%以上。
法人關切隨著產業復甦、聯電產能利用率回升至近90%的水準，毛利率是否有機會重回2022年 40% 以上的高峰？聯電則回應，隨著產能利用率提升與營業利潤增加，基本面正持續改善，且矽光子與先進封裝等新領域也有助於帶動 EBITDA 獲利率。不過，受到新廠建置影響，折舊費用高企將是干擾毛利率表現的一大關鍵因素。
新加坡P4、台灣P7瞄準「先進封裝與矽光子」
針對未來的產能規劃，聯電已通過最新的資本支出預算，將全力佈局先進封裝與矽光子。
- 新加坡P4廠區：鎖定「矽光子」產能無塵室建置。新加坡P3廠則擴充 BCD（電源管理晶片）與矽光子，預計2027年底至2028年初將有顯著產能釋出。
- 台灣 P7 廠區：專為「先進封裝」打造，建置離散式深溝槽電容（DTC）與客製化記憶體堆疊（CMS）。
