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晶圓設備全球支出估連4年成長 陸扮推手


發佈時間:2018/03/13 11:54
最後更新時間:2018/03/13 11:54
示意圖/TVBS
示意圖/TVBS

全球晶圓廠投資強勢,全球晶圓廠預測報告指出,2019年全球晶圓廠設備支出將增5%,連續第4年大幅成長。中國大陸設備支出金額預計2019年超越韓國,成為全球支出最高地區。

國際半導體產業協會(SEMI)新聞稿指出,根據「全球晶圓廠預測報告」(World Fab Forecast)內容指出,2019年全球晶圓廠設備支出將增加5%,連續第4年呈現大幅成長。

 

除非原有計畫大幅變更,SEMI指出,中國大陸將是今年和2019年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。

SEMI預測,今年和2019年全球晶圓廠設備支出將以三星(Samsung)居冠,但投資金額都不及2017年的高點。

相較之下,為支援跨國與本土的晶圓廠計畫,今年中國大陸的晶圓廠設備支出較前一年將大幅增加57%,2019年估更高達60%。中國大陸設備支出金額預計在2019年超越韓國,成為全球支出最高的地區。
 

隨著先前所興建的晶圓廠進入設備裝機階段,中國大陸的晶圓廠設備支出持續增加。2017年中國大陸有26座晶圓廠動工刷新紀錄,今明兩年設備將陸續裝機。

在中國大陸所有晶圓廠設備投資仍以外資為主,不過,2019年本土企業可望提高晶圓廠投資,占中國大陸所有相關支出的比重也將從2017年的33%,增至2019年的45%。

從金額來看,報告指出,繼2017年投資金額刷新紀錄後,今年韓國晶圓廠設備支出將下滑9%、到180億美元,2019年將再下滑14%、到160億美元,不過這兩年支出都將超過2017年之前水準。

至於晶圓廠投資金額全球排名第3的台灣,預期今年晶圓設備支出將下滑10%,約100億美元,不過2019年預估將反彈15%,增至110億美元以上。

從產品類別支出來看,報告指出,3D NAND型記憶體將是支出最高的產品類別,今年及2019年將各成長3%,金額分別達到160億美元和170億美元。

今年動態隨機存取記憶體(DRAM)將強勁成長26%,達140億美元,但2019年將下滑14%,至120億美元。為了支援7奈米製程相關投資和提高新產能,今年晶圓代工業設備支出將增加2%,達170億美元,2019年估成長26%,達220億美元。(中央社)

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#半導體#晶圓#記憶體

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