台積電CoWoS卡關?英特爾EMIB封裝技術崛起 吸大廠轉單
- 編譯:廖國安
- 發佈時間:2026.08.28 15:05
- 最後更新時間:2026.08.28 15:05
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- 最後更新時間:2026.08.28 15:05
英特爾和台積電。(示意圖/達志影像shutterstock)
台積電CoWoS先進封裝技術面臨產能瓶頸,讓英特爾看到搶攻AI晶片代工客戶的契機。根據市調機構Counterpoint Research分析,台積電在整合AI加速器與高頻寬記憶體(HBM)時遭遇挑戰,英特爾的EMIB封裝技術可望趁勢崛起,吸引Google、聯發科等大廠轉單。
根據《EE Times》報導,Counterpoint Research共同創辦人Neil Shah指出,台積電CoWoS封裝技術多年來是輝達、超微、博通等AI客戶的主力選擇,但如今已成為生產瓶頸。他表示,HBM依賴台積電的矽中介層,不僅成本高昂、封裝厚重,還面臨良率風險與產能限制。
英特爾EMIB技術成替代方案
Shah進一步說明,大型矽晶粒的缺陷率偏高,若中介層在最終封裝階段失敗,GPU晶片與八組以上的HBM堆疊將全數報廢,單次損失可達數千美元(約新台幣數十萬元)。英特爾的EMIB技術已量產於Sapphire Rapids與Ponte Vecchio處理器,可望解決台積電的中介層問題。
國際商業策略公司執行長Handel Jones表示,英特爾已擁有多家重要外部封裝客戶,未來幾年成長潛力可期,目前正在新墨西哥州擴充產能。Counterpoint的供應鏈調查顯示,Google與AI晶片設計夥伴聯發科可能採用英特爾的EMIB-T技術,用於下一代TPU產品。
分析師Mike Demler認為,英特爾的EMIB可省去中介層,Foveros三維堆疊技術更具備台積電所沒有的功能。他指出,即便只是因為台積電產能不足,英特爾也有機會爭取到客戶。不過,台積電也正強化CoWoS-L技術應對競爭,該技術架構與EMIB相似,採用局部矽橋進行高密度晶粒互連。
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