長鑫第五代 DRAM 平台量產　新製程提高單片晶圓產出能力

中國記憶體晶片製造商長鑫科技（CXMT）9 月 20 日表示，第五代技術平台已進入量產。根據路透社報導，這項進展可能進一步提升長鑫與三星電子、SK 海力士及美光等全球記憶體業者競爭的能力。

DRAM（動態隨機存取記憶體）是智慧型手機、電腦等裝置執行應用程式時使用的短期工作記憶體。長鑫表示，新平台目標是在降低成本及功耗的同時，製造效能更高的記憶體晶片，為智慧型手機等電子產品提供另一個記憶體供應來源。

關鍵結構間距縮至 11.95 奈米

長鑫表示，第五代平台進一步微縮記憶體陣列結構，其中主動區半間距為 11.95 奈米。公司稱，製程微縮進一步提高了記憶體密度。採用四重圖案化技術，透過多次重複部分製造步驟，以形成更精細的電路圖案。

該公司副總裁兼行銷中心負責人羅曉東在合肥舉行的 2026 世界製造業大會表示，公司目前的製程能力，已與產業中最先進的量產節點處於同等水準。

兩款 24Gb LPDDR5X 已進入量產

長鑫同時發表兩款採用第五代平台製造的 24Gb LPDDR5X 產品。LPDDR5X 是一種低功耗 DRAM，主要應用於智慧型手機及其他可攜式電子裝置。

公司表示，兩款產品相較前一代同級產品，資料容量均增加 50%，目前已進入量產，並提供兩種封裝形式，以因應不同智慧型手機及可攜式裝置設計。

以 8Gb 晶片為比較基準，長鑫表示，第五代平台每片晶圓可形成的總晶粒數至少比第四代平台增加 50%。

總晶粒數指每片晶圓可形成的晶粒總數，尚未扣除因缺陷而失效的晶粒，因此不能等同於製程良率。

長鑫表示，第五代平台的開發運用了電腦模擬技術，並與中國晶片設備製造商合作處理關鍵製程環節。

這項進展出現在中國持續降低對海外半導體技術依賴之際。路透指出，美國自 2022 年起實施的出口管制，也限制中國取得部分先進半導體製造設備及相關軟體。