AI記憶體大洗牌！傳SK海力士攜手台積電 布局「3D DRAM」新戰場
- 編譯：謝景沛
- 發佈時間：2026.09.15 14:23
- 最後更新時間：2026.09.15 14:23
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- 最後更新時間：2026.09.15 14:23
SK海力士（SK Hynix）積極布局下一代3D DRAM。（圖／達志影像美聯社）
AI時代記憶體大洗牌！半導體巨擘SK海力士（SK Hynix）積極布局下一代3D DRAM，最新技術路線顯示，公司計畫將負責資料儲存的DRAM記憶體單元，與負責資料輸入輸出的周邊電路拆開獨立製造，再透過3D堆疊技術完美整合。值得注意的是，周邊電路將首度導入先進邏輯晶圓代工製程。由於SK海力士在第六代高頻寬記憶體（HBM4）已攜手台積電（TSMC）打造基礎晶粒，外界關注雙方聯手的版圖是否將順勢擴大至3D DRAM新戰場。
記憶體進入「彎道競速」 AI升級逼出「記憶體層次結構」革命
根據《中央日報》報導，SK海力士於8日舉辦「2026 Future Forum」，執行長郭魯正指出，過去記憶體產業如同直線加速賽，各家廠商只需比拼傳輸速度。如今AI能夠自主制定計畫並執行複雜任務，處理數據量呈爆炸性成長，市場情況就像在瞬息萬變的彎道行駛，極度考驗靈敏度。
首爾大學教授尹成路對此分析，未來AI系統的核心競爭力，將取決於如何將HBM（高頻寬記憶體）、DRAM與SSD（固態硬碟）靈活搭配的「記憶體層次結構」，而非依賴單一產品。SK海力士也順勢推動「全端AI記憶體」策略，結合3D DRAM、HBM與HBF（高頻寬快閃記憶體），直接從系統設計階段就與客戶深度客製化。
打破記憶體與邏輯界限 3D晶片與邏輯代工成未來解方
隨著半導體微型化技術逐漸逼近物理極限，「3D記憶體」被視為下一代救星。高麗大學教授申昌煥指出，這項技術打破了傳統記憶體與邏輯晶片之間的藩籬。
SK海力士在論壇中提出具體方向，將透過極大化資料匯流排寬度、超短距離傳輸，並利用邏輯晶圓代工製程來製造DRAM周邊電路，大幅提升傳輸效率並降低功耗。
外包台積電仍有變數！ 專家：開發落後恐成代工合作關鍵
不過，外界目前尚不能將此直接解讀為SK海力士會把3D DRAM的邏輯製程全面外包給台積電。韓國產業經濟與貿易研究院（KIET）研究委員金良彭（Kim Yang-paeng）分析，現階段3D DRAM擴大與外部晶圓代工廠合作的機率依然偏低。但若SK海力士未來在產品量產上市的時程上落後競爭對手，藉由外部晶圓代工進行合作的可能性將會顯著提高。
金良彭表示，外部晶圓代工廠可以在內部開發速度不足時，成為縮短開發時間、加快技術進展的備用選項。相較於同時擁有記憶體與晶圓代工業務的三星電子，SK海力士則能視需求彈性採用外部晶圓代工資源。分析師認為，目前仍難斷言「自家一手包辦」還是「跨界結盟代工」更有利於下一代DRAM開發，最終仍取決於產品的開發結果與時程。
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