投資銀行高盛近日指出，中國的曝光機技術至少落後美國等西方國家約20年，目前全球最先進的曝光機由荷蘭ASML生產，因其核心零組件涉及美國技術，美國政府得以限制這些設備出口至中國。
高盛的報告指出，中國國產曝光設備的技術水準仍停留在65奈米世代。由於美國對華為祭出制裁，禁止其向台積電採購先進晶片，華為只能依賴中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）。然而，中芯同樣受到限制，無法取得ASML的極紫外光（EUV）曝光機，只能以較舊的深紫外光（DUV）機台進行製程，最多生產7奈米晶片。
高盛：中國先進晶片製造技術落後西方20年
業界普遍認為，中國的7奈米晶片大多仍仰賴ASML舊世代DUV機台，因為先進曝光機所需零件遍布全球，尤其由歐美企業掌控，中國暫時無力自主研發完成。高盛強調，中國的曝光機技術距離ASML現行水準，至少還有20年的差距。上述技術在晶片製程中扮演核心角色，其功能是將設計電路圖樣從光罩轉印到晶圓上。ASML的先進EUV與高數值孔徑（High-NA EUV）機台能實現更小的線寬，進而提升晶片效能。
目前，包括台積電在內的全球領先晶片製造商，已經量產3奈米晶片，並積極推進至2奈米世代。高盛指出，ASML花費20年與約400億美元的研發及資本支出，才從65奈米推進到3奈米以下製程；在此對比下，中國國產設備短期內幾乎不可能追趕上西方的腳步。
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