台積電傳搶攻記憶體市場！應輝達要求研發「3D DRAM」
- 責任編輯：蔡雅菁
- 發佈時間：2026.11.07 08:11
- 最後更新時間：2026.11.07 08:11
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- 最後更新時間：2026.11.07 08:11
台積電應輝達公司要求，開始規劃一種名為3D DRAM的先進記憶體晶片製造計畫。（示意圖／Shutterstock達志影像）
科技媒體The Information今天報導，台積電正考慮擴大業務版圖，進軍先進記憶體晶片製造，以便在人工智慧（AI）硬體市場中取得更大的市占率。
The Information引述兩名知情人士指出，台積電應輝達公司（Nvidia）要求，近期已開始規劃一種名為3D DRAM的先進記憶體晶片製造計畫。
台積電與輝達尚未回應路透社的置評請求。
根據報導，台積電可能選擇興建新的先進記憶體晶片工廠，但目前尚不清楚預計何時開始生產。
報導指出，這家全球最大晶片製造商也正在評估收購現有工廠，將其改建為記憶體生產設施，類似美光公司（Micron）今年收購一座晶圓廠並將其改建為DRAM生產設施的做法。
動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片用於在電子裝置中暫時儲存資料。3D DRAM則是一種記憶體架構，透過垂直堆疊記憶體單元以提高容量，而非將其排列在單一水平層上。
根據報導，這項計畫由台積電副總經理徐國晉主導，他負責監督台積電的先進封裝業務。
在台積電可能進軍先進記憶體市場之際，AI快速發展導致記憶體晶片嚴重短缺，已推升價格，促使晶片設計公司積極尋求額外的供應來源。
若台積電進軍先進記憶體市場，將須與三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等公司競爭。（中央社）
