記憶體大廠美光（Micron）正式加快 AI 記憶體投資腳步。美光 7 月 4 日在日本廣島縣舉行新廠擴建動土典禮，計畫投入約 1.5 兆日圓（約新台幣 3,000 億元）擴建生產基地，未來將生產高頻寬記憶體（HBM）等先進 DRAM，鎖定生成式 AI、自駕車與 AI 加速器市場需求。根據日本經濟產業省規畫，新廠設備預計於 2028 年下半年開始交付與安裝。
日本政府同步提供資金支持。《彭博社》報導指出，經濟產業省最高補助上限為 5,000 億日圓。加計研發支援後，日本政府目前已規劃約7750億日圓支持美光。
HBM成兵家必爭 美光同步擴充全球產能
AI 運算快速成長，記憶體供應商全面加速擴產。美光目前正於美國愛達荷州博伊西建設新廠，今年 1 月也替紐約州雪城附近規模達 1,000 億美元的新生產基地舉行動土典禮，希望提升美國本土 DRAM 產能。SK 海力士（SK Hynix）與三星電子（Samsung Electronics）同樣積極擴充記憶體製造能力，全球 HBM 供應競賽持續升溫。美光科技執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）在動土典禮表示，美光第一片 HBM 生產晶圓就是在廣島完成。梅羅特拉說，美國的創新能力結合日本精密製造，可打造世界級產品。
日本押注半導體 供應鏈優勢成重要籌碼
日本近年重新加大半導體投資力度。日本自 2021 年起投入數百億美元支持半導體與 AI 發展，首相高市早苗今年 6 月公布半導體與 AI 發展路線圖，目標在 2041 年 3 月前帶動公私部門累積 101.6 兆日圓投資。美光日本法人代表野坂幸太表示，廣島廠所需晶片材料約 8 成來自日本，快速取得高階材料與設備，正是廣島基地的重要優勢。美光於 2013 年收購日本 DRAM 廠商爾必達（Elpida Memory）後取得廣島工廠，如今這座工廠已是美光全球先進 AI 記憶體布局的重要生產基地。
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