南亞科、華邦電記憶體暴跌　力積電逆勢翻紅創4年來新高

記者周筠羚報導
發佈時間：2026/01/20 10:31
最後更新時間：2026/01/20 10:31

美國政府有意對非美製造產品加徵100%關稅衝擊，記憶體成盤面焦點。（圖／TVBS）

台股今（20）日開盤震盪走跌近300點，以31584.34點開出。美國政府有意對非美製造產品加徵100%關稅衝擊，記憶體成盤面焦點，南亞科（2408）、威剛（3260）、旺宏（2337）開盤即打入跌停，華邦電（2344）也暴跌。力積電（6770）逆勢翻紅，盤中最高來到65.3元，創下近4年來新高。

100%關稅影響　南亞科、華邦電暴跌

美國商務部長盧特尼克Howard Lutnick日前宣布「不在美國生產的記憶體廠商未來可能面臨100%關稅」。目前唯一有在美國生產DRAM晶片的大公司只有美光，外媒點名台灣記憶體大廠南亞科和華邦電可能遇到麻煩，衝擊今日記憶體股表現。

今早記憶體、面板大翻車，南亞科(2408)開盤直接來到跌停板，約半小時打開收斂，僅跌15元。華邦電（2344）開低震盪走高，跌逾9%，一度逼近跌停，最低報105.5元。記憶體股王群聯處置結束出關，今股價重挫逾6%。

力積電翻紅創近4年來新高

記憶體族群全面重挫，旺宏（2337）以及晶豪科（3006）等8檔皆重跌逾半根停板。力積電（6770）一度來到58.5元，盤中急拉由黑翻紅，盤中最高上漲至65.3元，創四年來新高價。成交量7萬6016張居上市排行第5大。

TrendForce：2027年全球DRAM供給可望上修

根據TrendForce最新DRAM產業調查，隨著Micron計畫以18億美元收購PSMC在台灣的銅鑼廠房(不含生產相關機器設備)，且雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，此合作案將有利Micron增添先進製程DRAM產能，並提升PSMC的成熟製程DRAM供應，預估2027年全球DRAM產業供給將有上修空間。

TrendForce表示，2025年下半開始，ASIC和AI推論分別帶動HBM3e、DDR5需求，並推升整體DRAM利潤率，促使Micron加速擴充產能。本次收購PSMC銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室，預期Micron將可在2026至2027年分批移入既有及新訂購的設備，以DRAM先進製程的前段設備為主，並於2027年投入量產。預估銅鑼一期在2027年下半年可貢獻的產能，將相當於Micron 2026年第四季全球產能的10%以上。

據TrendForce統計，2025年第三季Micron在全球DRAM產業的營收市占率為25.7%，排名第三。2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求，Micron除了持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。在銅鑼廠之前，Micron在台灣已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為wafer probe(晶圓測試)、metallization (金屬化)、HBM TSV等各項用途。Micron亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM metallization。

觀察此次銅鑼廠收購案對PSMC的意義：其現有DRAM產能主要採用25nm、38nm製程，因此其DDR4產線暫時止步於容量較小的產品。近日PSMC與Micron簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得Micron授權1Y nm製程，後續並有機會再取得1Z nm製程授權，可支持其提升DDR4產品容量。此舉將有利PSMC保持在consumer DRAM市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與Micron的先進產品線互相競爭。