聯電今（8）日宣布與全球頂尖先進半導體研發中心imec簽署技術授權協議，正式取得 imec 的 iSiPP300 矽光子製程技術。 這項具備共封裝光學（Co-Packaged Optics, CPO）相容性的技術，將成為聯電推進矽光子發展藍圖的重要推力。藉由此次合作，聯電將推出12吋矽光子平台，搶攻下一代高速連結應用市場，最快將在2026年試產。
隨著AI帶動資料量爆發式成長，傳統銅互連已逐漸成為瓶頸。相較之下，矽光子以光訊號傳輸資料，可滿足資料中心、高效能運算與網路基礎建設對超高頻寬、低延遲及高能效的需求。聯電將結合imec已驗證的12吋矽光子製程、自家成熟的SOI（Silicon-On-Insulator）晶圓技術，以及多年 8 吋矽光子量產經驗，打造高度可擴展的光子晶片（Photonic Integrated Circuits, PIC）平台。
矽光子可滿足高效運算需求 聯電預計2026年風險試產
聯電資深副總經理洪圭鈞表示，取得imec的先進矽光子製程授權，將大幅加速聯電12吋矽光子平台的開發時程。聯電目前已與多家新客戶展開合作，預計於2026、2027年啟動風險試產，提供用於光收發器的光子晶片。未來，聯電也將結合多元先進封裝技術，朝共封裝光學與光學I/O 等高整合架構邁進，為資料中心內外提供高頻寬、低功耗且具擴展性的光互連解決方案。imec IC-Link 副總裁Philippe Absil指出，imec過去十年已成功證明，使用先進CMOS製程（主流的積體電路製造技術）於12吋晶圓上導入矽光子，可大幅提升效能。iSiPP300平台整合微環調變器、GeSi電致吸收調變器（EAM）、多樣低損耗光纖介面及3D封裝模組，是imec長期與產業合作的成果。他強調，此次與聯電的合作展現雙方共同創新能力，將促進先進矽光子技術更快導入市場，推動下一代運算系統的發展。
