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傳三星逆勢操作擴大晶片產能 搶攻市占率

責任編輯 吳孟潔 報導
發佈時間:2022/12/26 16:42
最後更新時間:2022/12/26 16:42
三星打算在明年提高晶片產能。(圖/達志影像美聯社)
三星打算在明年提高晶片產能。(圖/達志影像美聯社)

韓國1家報紙昨晚報導指出,儘管預測顯示經濟可能放緩,三星電子公司(Samsung Electronics)仍打算明年在其最大半導體廠房提高晶片產能。

路透社報導,此舉與對手在需求下降和晶片過剩的情況下縮減投資形成鮮明對比。

 

分析師表示,三星堅持投資計畫可能有助其搶占記憶體晶片市場占有率,並在需求復甦時支撐股價。

「韓國經濟新聞」(Korea Economic Daily)引述不具名業界消息人士報導,三星計劃擴建其位於韓國平澤市的P3工廠,增加12吋DRAM產能。

報導還說,三星還將擴建廠房,增產4奈米晶片,這將根據與客戶所訂的代工合約進行。
 

今年開始生產儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的P3,是三星最大的晶片製造工廠。

「韓國經濟新聞」報導還說,三星打算明年至少增加10台極紫外光微影(EUV)機台。

三星婉拒發表評論。(中央社)
 

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#韓國#半導體#晶片#三星#市場#經濟#記憶體

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